APT50GN120L2DQ2G

Подробное описание

Основные
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C

4 510 ₽

– +

Бонус: 90.2 !

Бонусная программа

Итого: 4 510 ₽

Купить

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi

Основные
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	1
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	Microsemi
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-264-3
длина	26.49 mm
pd - рассеивание мощности	543 W
диапазон рабочих температур	55 C to + 150 C
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	1.2 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.7 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	134 A
ток утечки затвор-эмиттер	600 nA
непрерывный коллекторный ток	134 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.	134 A
Высота	5.21 мм
Ширина	20.5 мм

Отзывов нет

Кнопки