APT50GF120LRG

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
APT50GF120LRG
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
5 460
+
Бонус: 109.2 !
Бонусная программа
Итого: 5 460
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - SingleIGBT NPT 1200V 135A 781W Through Hole TO-264 [L]
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-264-3, TO-264AA
rohs statusRoHS Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Carbide Modules
размер фабричной упаковки1
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаMicrosemi
упаковкаTube
упаковка / блокTO-264-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-264 [L]
pd - рассеивание мощности781 W
base product numberAPT50GF120 ->
input typeStandard
Вес и габариты
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1.2 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c135 A
ток утечки затвор-эмиттер+/- 100 nA
current - collector (ic) (max)135A
current - collector pulsed (icm)150A
gate charge340nC
igbt typeNPT
power - max781W
switching energy3.6mJ (on), 2.64mJ (off)
td (on/off) @ 25в°c25ns/260ns
vce(on) (max) @ vge, ic3V @ 15V, 50A
voltage - collector emitter breakdown (max)1200V
test condition800V, 50A, 1Ohm, 15V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль