APT33GF120BRG, Транзистор

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: APT33GF120BRG
APT33GF120BRG, Транзистор
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
3 550
+
Бонус: 71 !
Бонусная программа
Итого: 3 550
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Low Frequency - Single
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusRoHS Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки1
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаMicrosemi
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-247 [B]
длина21.46 mm
pd - рассеивание мощности297 W
диапазон рабочих температур55 C to + 150 C
base product numberAPT33GF120 ->
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1.2 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c52 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
непрерывный коллекторный ток52 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.52 A
current - collector (ic) (max)52A
current - collector pulsed (icm)104A
gate charge170nC
igbt typeNPT
power - max297W
switching energy2.8mJ (on), 2.8mJ (off)
td (on/off) @ 25в°c25ns/210ns
vce(on) (max) @ vge, ic3.2V @ 15V, 25A
voltage - collector emitter breakdown (max)1200V
Высота 5.31 мм
Ширина16.26 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль