APT30GN60BDQ2G, Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 203mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT ComponentБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247, RoHS
Отзывов нет
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
