APT20GT60BRDQ1G, Транзистор IGBT NPT 600 V 43 A 174 W Through Hole TO-247 [B]

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: APT20GT60BRDQ1G
APT20GT60BRDQ1G, Транзистор IGBT NPT 600 V 43 A 174 W Through Hole TO-247 [B]
Основные
base product numberAPT20GT60 ->
current - collector (ic) (max)43A
current - collector pulsed (icm)80A
1 680
+
Бонус: 33.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 680
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247, RoHS
Основные
base product numberAPT20GT60 ->
current - collector (ic) (max)43A
current - collector pulsed (icm)80A
eccnEAR99
gate charge100nC
htsus8541.29.0095
igbt typeNPT
input typeStandard
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
подкатегорияIGBTs
power - max174W
размер фабричной упаковки1
reach statusREACH Unaffected
rohs statusRoHS Compliant
seriesThunderbolt IGBTВ® ->
supplier device packageTO-247 [B]
switching energy215ВµJ (on), 245ВµJ (off)
td (on/off) @ 25в°c8ns/80ns
технологияSi
test condition400V, 20A, 5Ohm, 15V
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаMicrochip / Microsemi
упаковкаTube
vce(on) (max) @ vge, ic2.5V @ 15V, 20A
voltage - collector emitter breakdown (max)600V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль