APT200GN60J

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
APT200GN60J
Основные
вес, г30
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
9 350
+
Бонус: 187 !
Бонусная программа
Итого: 9 350
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
Основные
вес, г30
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseISOTOP
rohs statusRoHS Compliant
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки1
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаMicrosemi
упаковкаTube
упаковка / блокSOT-227-4
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageISOTOPВ®
длина38.2 mm
коммерческое обозначениеISOTOP
pd - рассеивание мощности682 W
диапазон рабочих температур55 C to + 175 C
base product numberAPT200 ->
configurationSingle
Вес и габариты
inputStandard
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c283 A
ток утечки затвор-эмиттер600 nA
current - collector (ic) (max)283A
igbt typeTrench Field Stop
power - max682W
vce(on) (max) @ vge, ic1.85V @ 15V, 200A
voltage - collector emitter breakdown (max)600V
current - collector cutoff (max)25ВµA
input capacitance (cies) @ vce14.1nF @ 25V
ntc thermistorNo
Высота 9.6 мм
Ширина25.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль