APT150GN60JDQ4

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
APT150GN60JDQ4
Основные
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
9 820
+
Бонус: 196.4 !
Бонусная программа
Итого: 9 820
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
Основные
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки1
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаMicrosemi
упаковкаTube
упаковка / блокSOT-227-4
длина38.2 mm
коммерческое обозначениеISOTOP
pd - рассеивание мощности536 W
диапазон рабочих температур55 C to + 175 C
Вес и габариты
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c220 A
ток утечки затвор-эмиттер600 nA
Высота 9.6 мм
Ширина25.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль