AOTF5B65M1, Транзистор: IGBT, 650В, 5А, 10Вт, TO220F, Eвыкл: 0,12мДж

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: AOTF5B65M1
AOTF5B65M1, Транзистор: IGBT, 650В, 5А, 10Вт, TO220F, Eвыкл: 0,12мДж
Основные
вес, г6.51
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THTIGBT 650V 10A 25W Through Hole TO-220
Основные
вес, г6.51
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-220
seriesAlpha IGBTв„ў ->
input typeStandard
Вес и габариты
other related documentshttp://aosmd.com/media/AOSGreenPolicy.pdf
current - collector (ic) (max)10A
current - collector pulsed (icm)15A
gate charge14nC
power - max25W
switching energy80ВµJ (on), 70ВµJ (off)
td (on/off) @ 25в°c8.5ns/106ns
vce(on) (max) @ vge, ic1.98V @ 15V, 5A
voltage - collector emitter breakdown (max)650V
test condition400V, 5A, 60Ohm, 15V
reverse recovery time (trr)195ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль