AIGW50N65H5XKSA1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
AIGW50N65H5XKSA1
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
2 050
+
Бонус: 41 !
Бонусная программа
Итого: 2 050
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки240
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияTrenchstop 5 H5
reach statusREACH Unaffected
supplier device packagePG-TO247-3-41
коммерческое обозначениеTRENCHSTOP
seriesAutomotive, AEC-Q101, Trenchstopв„ў 5 ->
pd - рассеивание мощности270 W
другие названия товара №AIGW50N65H5 SP001346878
base product numberAIGW50 ->
input typeStandard
Вес и габариты
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.66 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c80 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
current - collector pulsed (icm)150A
gate charge1018nC
igbt typeTrench
power - max270W
switching energy490ВµJ (on), 140ВµJ (off)
td (on/off) @ 25в°c21ns/156ns
vce(on) (max) @ vge, ic2.1V @ 15V, 50A
voltage - collector emitter breakdown (max)650V
test condition400V, 25A, 12Ohm, 15V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль