A2P75S12M3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
A2P75S12M3
Основные
вес, г42
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
16 710
+
Бонус: 334.2 !
Бонусная программа
Итого: 16 710
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD NEW MAT & PWR SOLUTION
Основные
вес, г42
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки18
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTray
упаковка / блокACEPACK2
серияA2P75S12M3
коммерческое обозначениеACEPACK
pd - рассеивание мощности454.5 W
Вес и габариты
технологияSi
конфигурация6-Pack
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.95 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c75 A
ток утечки затвор-эмиттер500 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль