A2C25S12M3
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD NEW MAT & PWR SOLUTION
| Основные | |
| вес, г | 42 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Chassis Mount |
| operating temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tray |
| package / case | Module |
| вид монтажа | Through Hole |
| категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 40 C |
| подкатегория | IGBTs |
| продукт | IGBT Silicon Modules |
| размер фабричной упаковки | 18 |
| тип продукта | IGBT Modules |
| торговая марка | STMicroelectronics |
| упаковка | Tray |
| упаковка / блок | ACEPACK2 |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.29.0095 |
| серия | A2C25S12M3 |
| reach status | REACH Unaffected |
| supplier device package | ACEPACKв„ў 2 |
| линейка продукции | ACEPACK 2 M |
| коммерческое обозначение | ACEPACK |
| pd - рассеивание мощности | 197 W |
| base product number | A2C25 -> |
| configuration | Three Phase Inverter with Brake |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| конфигурация | Converter Inverter Brake |
| input | Three Phase Bridge Rectifier |
| рассеиваемая мощность | 197Вт |
| power dissipation | 197Вт |
| полярность транзистора | N Канал |
| стиль корпуса транзистора | Module |
| максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 1200 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.95 V |
| непрерывный коллекторный ток при 25 c | 25 A |
| ток утечки затвор-эмиттер | 500 nA |
| current - collector (ic) (max) | 25A |
| igbt type | Trench Field Stop |
| power - max | 197W |
| vce(on) (max) @ vge, ic | 2.45V @ 15V, 25A |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 1200V |
| напряжение коллектор-эмиттер | 1.2кВ |
| dc ток коллектора | 25А |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер vce(on) | 1.95В |
| current - collector cutoff (max) | 100ВµA |
| input capacitance (cies) @ vce | 1550pF @ 25V |
| ntc thermistor | Yes |
| collector emitter saturation voltage | 1.95В |
| continuous collector current | 25А |
| конфигурация бтиз | Three Phase CIB(Converter+Inverter+Brake) |
| collector emitter voltage max | 1.2кВ |
| выводы бтиз | Solder |
| максимальная температура перехода tj | 150 C |
| технология бтиз | Trench Field Stop |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
