STGIPN3H60T-H, Умный модуль питания (IPM), 3 фазы, IGBT, 600 В, 3 А, 1 кВ, NDIP, SLLIMM

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STGIPN3H60T-H
STGIPN3H60T-H, Умный модуль питания (IPM), 3 фазы, IGBT, 600 В, 3 А, 1 кВ, NDIP, SLLIMM
Основные
вес, г6.65
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
packageTube
1 130
+
Бонус: 22.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\Умные Модули ПитанияМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Основные
вес, г6.65
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
packageTube
package / case26-PowerDIP Module (0.846"", 21.48mm)
rohs statusROHS3 Compliant
typeIGBT
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки476
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTray
упаковка / блокNDIP-26L
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSTGIPN3H60T-H
reach statusREACH Unaffected
напряжение изоляции1кВ
линейка продукцииSLLIMM Nano Series
коммерческое обозначениеSLLIMM
voltage600V
seriesSLLIMMв„ў ->
pd - рассеивание мощности8 W
base product numberSTGIPN3 ->
configuration3 Phase
Вес и габариты
current3A
технологияSi
конфигурация3-Phase Inverter
voltage - isolation1000Vrms
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.15 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c3 A
ток (ic / id)
стиль корпуса интеллектуального модуля питанияNDIP
серия интеллектуального модуля питания (ipm)SLLIMM
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль