- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Силовые IGBT модули А-серии 5-го поколения предназначены для применения в системах электропривода, сервопривода и оборудования для электросварки. Производство модулей А-серии 5-го поколения совмещает в себе две уникальных технологии: это CSTBT - Carrier Stored Trench Bipolar Transistor (траншейный транзистор с накоплением заряда), и LPT - Light Punch Through (технология легкого пробоя), что даёт низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat)= 2.4 В при температуре перехода 125оC, низкую энергию переключения E(on) и E(off), а также высокую надежность при коротком замыкании. 5-е поколение модулей А-серии благодаря особому соединению контактов и кристалла внутри модуля имеет низкую внутреннюю индуктивность. Благодаря использованию подложки из материала AlN достигнуто превосходное тепловое сопротивление по сравнению с существующими на рынке приборами аналогичного класса. Кроме этого, получены улучшенные характеристики термоциклирования за счет внедрению технологии Wire Bumps. Такая технология позволила зн
Отзывов нет










![2SD880, Транзистор биполярный, NPN, Ic=3А, Vceo=60В, Vcbo=60В, Pd=30Вт, hFE= 60…300 [TO-220] 2SD880, Транзистор биполярный, NPN, Ic=3А, Vceo=60В, Vcbo=60В, Pd=30Вт, hFE= 60…300 [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/19/41/184119/images/220342/220342.300x0.jpg)







