MOSFET, Single - N-Channel, 1kV, 32A, ISOPLUS247

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFX32N100Q3
MOSFET, Single - N-Channel, 1kV, 32A, ISOPLUS247
Основные
вес, г6.7
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
8 740
+
Бонус: 174.8 !
Бонусная программа
Итого: 8 740
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Diode ModulesМОП-транзистор Q3Class HiPerFET Pwr МОП-транзистор 1000V/32A
Основные
вес, г6.7
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияIXFX32N100
reach statusREACH Unaffected
supplier device packagePLUS247в„ў-3
время нарастания250 ns
california prop 65Warning Information
коммерческое обозначениеHyperFET
seriesHiPerFETв„ў ->
pd - рассеивание мощности1.25 kW
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
technologyMOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки32 A
qg - заряд затвора195 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток320 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток1 kV
vgs - напряжение затвор-исток30 V
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
current - continuous drain (id) @ 25в°c32A (Tc)
drain to source voltage (vdss)1000V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs195nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds9940pF @ 25V
power dissipation (max)1250W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs320mOhm @ 16A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id6.5V @ 8mA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль