MOSFET Module, Single - N-Channel, 100V, 200A, 680W, SOT-227B

Подробное описание

Основные
вес, г	29
вид монтажа	Chassis Mount
категория продукта	Дискретные полупроводниковые модули
максимальная рабочая температура	+ 175 C

7 590 ₽

– +

Бонус: 151.8 !

Бонусная программа

Итого: 7 590 ₽

Купить

Diode ModulesДискретные полупроводниковые модули 200 Amps 100V 0.0075 Rds

Основные
вес, г	29
вид монтажа	Chassis Mount
категория продукта	Дискретные полупроводниковые модули
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	Discrete Semiconductor Modules
размер фабричной упаковки	10
тип продукта	Discrete Semiconductor Modules
торговая марка	IXYS
упаковка	Tube
упаковка / блок	SOT-227-4
серия	IXFN200N10
длина	38.23 mm
время нарастания	35 ns
время спада	90 ns
коммерческое обозначение	HiPerFET
pd - рассеивание мощности	680 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	200 A
rds вкл - сопротивление сток-исток	7.5 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
полярность транзистора	N-Channel
типичное время задержки выключения	150 ns
типичное время задержки при включении	30 ns
Высота	9.6 мм
Ширина	25.42 мм

Отзывов нет

Кнопки