HMC414MS8GETR, RF Amplifier InGaP HBT pow amp SMT, 2.2 - 2.8 GHz

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: HMC414MS8GETR
Электронные компоненты Микросхемы ВЧ усилители Analog Devices HMC414MS8GETR, RF Amplifier InGaP HBT pow amp ...
Analog Devices
Информация о производителе
ПроизводительAnalog Devices
Основные
Дата загрузки07.08.2024
Время загрузки22:39:44
БрендAnalog Devices
3 580
+
Бонус: 71.6 !
Бонусная программа
Итого: 3 580
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
RF & Wireless\RF Integrated Circuits\RF AmplifierRF, Microwave & Millimeter Wave ADI SLP
Информация о производителе
ПроизводительAnalog Devices
Основные
Дата загрузки07.08.2024
Время загрузки22:39:44
БрендAnalog Devices
Вес и габариты
factory pack quantity500
gain:20 dB
категорияЭлектронные компоненты/Микросхемы
manufacturer:Analog Devices Inc.
maximum operating temperature:+85 C
minimum operating temperature:-40 C
mounting style:SMD/SMT
number of channels:1 Channel
operating frequency:2.2 GHz to 2.8 GHz
operating supply current:300 mA
operating supply voltage:2.75 V to 5 V
партномер8004974800
pd - power dissipation:1.755 W
product:InGaP/GaAs HBT
product category:RF Amplifier
product type:RF Amplifier
subcategory:Wireless & RF Integrated Circuits
supply voltage - max:5 V
supply voltage - min:2.75 V
technology:GaAs InGaP
type:Power Amplifiers
вес, г0.02
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль