BGA5H1BN6E6327XTSA1 , RF Amplifier Low Noise, 18.1 dB 2690 MHz, 6-Pin TSNP-6-10

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BGA5H1BN6E6327XTSA1
Электронные компоненты Микросхемы ВЧ усилители Infineon BGA5H1BN6E6327XTSA1 , RF Amplifier Low Noise ...
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
Дата загрузки07.08.2024
Время загрузки22:41:17
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Amplifiers & Comparators\RF Amplifiers ICsThe Infineon high gain low noise amplifier for LTE high band is LTE data rate can be significantly improved by using the Low Noise Amplifier.
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
Дата загрузки07.08.2024
Время загрузки22:41:17
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес и габариты
amplifier typeLow Noise
automotiveNo
категорияЭлектронные компоненты/Микросхемы
количество выводов6вывод(-ов)
максимальная частота2.69ГГц
максимальная рабочая температура85°C
максимальное напряжение питания3.6В
maximum operating frequency2690 MHz
maximum operating supply voltage - (v)03.06.2024
maximum supply current - (ma)11.6@2.8V
militaryNo
минимальная частота2.3ГГц
минимальная рабочая температура-40°C
минимальное напряжение питания1.5В
operating temperature - (??c)-40~85
package typeTSNP-6-10
packagingTape and Reel
партномер8030973490
pin count6
стиль корпуса радиочастотной микросхемыTSNP
supplier packageTSNP
типичное значение коэффициента шума0.7дБ
typical noise figure1.2dB
typical output power60mW
typical power gain18.1 dB
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
усиление18.1дБ
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль