A2I09VD015NR1, RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 2 W Avg., 48 V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: A2I09VD015NR1
Электронные компоненты Микросхемы ВЧ усилители NXP A2I09VD015NR1, RF Amplifier Airfast RF LDMOS ...
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
Основные
Дата загрузки07.08.2024
Время загрузки22:37:44
БрендNXP Semiconductor
6 850
+
Бонус: 137 !
Бонусная программа
Итого: 6 850
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
RF & Wireless\RF Integrated Circuits\RF Amplifier
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
Основные
Дата загрузки07.08.2024
Время загрузки22:37:44
БрендNXP Semiconductor
Вес и габариты
factory pack quantity500
gain:32.8 dB
категорияЭлектронные компоненты/Микросхемы
manufacturer:NXP
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-40 C
moisture sensitive:Yes
mounting style:SMD/SMT
number of channels:2 Channel
operating frequency:575 MHz to 960 MHz
operating supply current:84 mA
operating supply voltage:48 V to 55 V
package/case:TO-270WB-15
packaging:Reel, Cut Tape
партномер8005510287
part # aliases:9,35363E+11
product category:RF Amplifier
product type:RF Amplifier
subcategory:Wireless & RF Integrated Circuits
supply voltage - max:55 V
supply voltage - min:48 V
technology:Si
test frequency:920 MHz to 960 MHz
type:Power Amplifiers
вес, г0.06
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль