XPN7R104NC,L1XHQ

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Микросхемы Усилители – Инструментальные, Операционные, Буферные Toshiba XPN7R104NC,L1XHQ
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
Основные
Дата загрузки05.05.2024
Время загрузки1:11:47
БрендToshiba
380
+
Бонус: 7.6 !
Бонусная программа
Итого: 380
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETsToshiba Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs are 100V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. They feature low on-resistance with proprietary technology using a Cu connector. They have a narrowed gate threshold voltage range of 2.5V to 3.5V, which reduces switching time tolerance.
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
Основные
Дата загрузки05.05.2024
Время загрузки1:11:47
БрендToshiba
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Single
factory pack quantity: factory pack quantity:5000
fall time:13 ns
id - continuous drain current:20 A
категорияЭлектронные компоненты/Микросхемы
manufacturer:Toshiba
maximum operating temperature:+175 C
mounting style:SMD/SMT
number of channels:1 Channel
package / case:TSON-Advance-8
packaging:Reel, Cut Tape
партномер8007543145
part # aliases:XPN7R104NC, L1XHQ(O
pd - power dissipation:65 W
product category:MOSFET
product type:MOSFET
qg - gate charge:21 nC
qualification:AEC-Q101
rds on - drain-source resistance:7.1 mOhms
rise time:5.5 ns
series:U-MOSVIII-H
subcategory:MOSFETs
technology:Si
transistor polarity:N-Channel
transistor type:1 N-Channel
typical turn-off delay time:35 ns
typical turn-on delay time:14 ns
vds - drain-source breakdown voltage:40 V
vgs - gate-source voltage:-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:2.5 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль