| Информация о производителе | |
| Производитель | Микрокристалл |
| Основные | |
| вес, г | 0.16 |
| type | Micropower Amplifier |
| максимальная рабочая температура | +85 °C |
| минимальная рабочая температура | -40 °C |
| длина | 4.9мм |
| тип корпуса | SOIC |
| тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| число контактов | 8 |
| размеры | 4.9 x 3.9 x 1.25мм |
| package type | SOIC N |
| pin count | 8 |
| packaging | Rail/Tube |
| automotive | Yes |
| eu rohs | Compliant |
| lead shape | Gull-wing |
| maximum operating temperature (°c) | 85 |
| mounting | Surface Mount |
| part status | Active |
| pcb changed | 8 |
| ppap | Yes |
| standard package name | SOP |
| supplier package | SOIC N |
| eccn (us) | EAR99 |
| minimum operating temperature (°c) | -40 |
| supplier temperature grade | Industrial |
| power supply type | Single |
| типичное одиночное напряжение питания | 3 V, 5 V |
| output type | CMOS |
| maximum single supply voltage (v) | 6 |
| minimum single supply voltage (v) | 2.5 |
| typical single supply voltage (v) | 3|5 |
| тип источника питания | Одинарный |
| process technology | CMOS |
| Вес и габариты | |
| тип усилителя | Точность |
| количество каналов на ис | 2 |
| maximum quiescent current (ma) | 0.05 5.5V |
| technology | CMOS |
| number of channels per chip | 2 |
| типичная скорость нарастания | 0.08В/мкс |
| типичное усиление по напряжению | 121 дБ |
| типичная интенсивность шумов входного напряжения | 38нВ/√Гц |
| rail to rail | Вывод полного размаха напряжений |
| типичное произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 155кГц |
| slew rate | 0.08(V/us) |
| typical output current (ma) | 30(Max) |
| minimum cmrr range (db) | 75 to 80 |
| minimum cmrr (db) | 75 |
| maximum input offset voltage (mv) | 0.25 5.5V |
| manufacturer type | Micropower Amplifier |
| typical gain bandwidth product (mhz) | 0.155 |
| maximum input offset current (ua) | 0.000001(Typ)5.5V |
| typical input bias current (ua) | 0.000001 5.5V |
| typical slew rate (v/us) | 0.08 5.5V |
| typical input noise voltage density (nv/rthz) | 38 5.5V |
| typical voltage gain (db) | 121 |
| typical noninverting input current noise density (pa/rthz) | 0.003 5.5V |
| minimum psrr (db) | 80 |
| shut down support | No |
| operating temp range | -40C to 85C |
| operating temperature classification | Industrial |
| rad hardened | No |
| dual supply voltage (max) | Not Required(V) |
| dual supply voltage (min) | Not Required(V) |
| dual supply voltage (typ) | Not Required(V) |
| power supply requirement | Single |
| single supply voltage (max) | 6(V) |
| single supply voltage (min) | 2.5(V) |
| single supply voltage (typ) | 3/5(V) |
| number of elements | 2 |
| common mode rejection ratio | 75(dB) |
| input offset voltage | 0.25(mV) |
| maximum input offset current | 0.000001(TYP)5.5V |
| power supply rejection ratio | 80(dB) |
| rail/rail i/o type | Rail to Rail Output |
| shut down feature | No |
| unity gain bandwidth product | 0.155 |
| voltage gain in db | 121(dB) |
| напряжение смещения | ±250мкВ |
| input bias current | 0.001(nA) |
| Высота | 1.25 мм |
| Ширина | 3.9 мм |
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
