| Информация о производителе | |
| Производитель | Микрокристалл |
| Основные | |
| вес, г | 2.04 |
| package / case | PDIP-14 |
| type | Low Power Amplifier |
| вид монтажа | Through Hole |
| категория продукта | Операционные усилители |
| максимальная рабочая температура | +125 °C |
| минимальная рабочая температура | -40 °C |
| подкатегория | Amplifier ICs |
| продукт | Operational Amplifiers |
| размер фабричной упаковки | 30 |
| тип продукта | Op Amps - Operational Amplifiers |
| торговая марка | Microchip Technology |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | PDIP-14 |
| серия | MCP6004 |
| рабочий ток источника питания | 100 uA |
| длина | 19.69мм |
| рабочее напряжение питания | 1.8 V to 5.5 V |
| тип корпуса | PDIP |
| тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| число контактов | 14 |
| размеры | 0.775 x 0.28 x 0.195дюйм |
| length | 19.05 mm |
| minimum operating temperature | -40 C |
| width | 6.35 mm |
| pin count | 14 |
| factory pack quantity | 30 |
| manufacturer | Microchip |
| maximum operating temperature | +125 C |
| mounting style | Through Hole |
| packaging | Tube |
| product category | Operational Amplifiers-Op Amps |
| unit weight | 0.057144 oz |
| количество каналов | 4 Channel |
| напряжение питания - макс. | 5.5 V |
| напряжение питания - мин. | 1.8 V |
| eu rohs | Compliant |
| lead shape | Through Hole |
| maximum operating temperature (°c) | 125 |
| mounting | Through Hole |
| part status | Active |
| pcb changed | 14 |
| standard package name | DIP |
| supplier package | PDIP |
| eccn (us) | EAR99 |
| minimum operating temperature (°c) | -40 |
| supplier temperature grade | Extended |
| power supply type | Single |
| типичное одиночное напряжение питания | 1,8 → 6 В |
| output type | CMOS |
| maximum single supply voltage (v) | 6 |
| minimum single supply voltage (v) | 1.8 |
| typical single supply voltage (v) | 3|5 |
| height | 3.3 mm |
| number of channels | 4 Channel |
| package height | 3.3 |
| package length | 19.05 |
| package width | 6.35 |
| отключение | No Shutdown |
| тип источника питания | Одинарный |
| process technology | CMOS |
| Вес и габариты | |
| rohs | Details |
| operating supply current | 100 uA |
| product | Operational Amplifiers |
| технология | CMOS |
| тип питания | Single |
| тип усилителя | стойкий к надрезам |
| количество каналов на ис | 4 |
| cmrr - коэффициент подавления синфазного сигнала | 60 dB |
| en - интенсивность шума входного напряжения | 28 nV/sqrt Hz |
| gbp - произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 1 MHz |
| ib - входной ток смещения | 1 pA |
| in - плотность тока шума на входе | 0.0006 pA/sqrt Hz |
| psrr - коэффициент подавления помех по питанию | 86 dB |
| sr - скорость нарастания выходного напряжения | 0.6 V/us |
| vos - входное напряжение смещения нуля | 4.5 mV |
| выходной ток на канал | 23 mA |
| квалификация | AEC-Q100 |
| operating supply voltage | 1.8 V to 5.5 V |
| supply voltage - max | 5.5 V |
| supply voltage - min | 1.8 V |
| maximum quiescent current (ma) | 0.68@5.5V |
| technology | CMOS |
| number of channels per chip | 4 |
| amplifier type | Low Power Amplifier |
| shutdown | No Shutdown |
| типичная скорость нарастания | 0.6В/мкс |
| типичное усиление по напряжению | 112 дБ |
| типичная интенсивность шумов входного напряжения | 28нВ/√Гц |
| rail to rail | Ввод/вывод полного размаха напряжений |
| типичное произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 1МГц |
| усиление по напряжению, дб | 112 dB |
| supply type | Single |
| typical output current (ma) | 30(Max) |
| minimum cmrr range (db) | 60 to 65 |
| minimum cmrr (db) | 60 |
| maximum input offset voltage (mv) | 4.5@5.5V |
| ib - input bias current | 1 pA |
| manufacturer type | Low Power Amplifier |
| gbp - gain bandwidth product | 1 MHz |
| sr - slew rate | 0.6 V/us |
| typical gain bandwidth product (mhz) | 1 |
| psrr - power supply rejection ratio | 86 dB |
| cmrr - common mode rejection ratio | 60 dB |
| maximum input offset current (ua) | 0.000001(Typ)@5.5V |
| typical input bias current (ua) | 0.000001@5.5V |
| typical slew rate (v/us) | 0.6@5.5V |
| typical input noise voltage density (nv/rthz) | 28@5.5V |
| input offset voltage drift (uv/°c) | 2(Typ) |
| typical voltage gain (db) | 112 |
| typical noninverting input current noise density (pa/rthz) | 0.0006@5.5V |
| minimum psrr (db) | 86(Typ) |
| shut down support | No |
| en - input voltage noise density | 28 nV/sqrt Hz |
| voltage gain db | 112 dB |
| output current per channel | 23 mA |
| in - input noise current density | 0.0006 pA/sqrt Hz |
| Высота | 4.95 мм |
| vos - input offset voltage | 4.5 mV |
| Ширина | 0.28 дюйм |
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
