LM358DR2G
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Микросхемы / Усилители и компараторы / Операционные усилителиОперационный усилитель, 1 МГц
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Основные | |
| вес, г | 0.22 |
| type | General Purpose Amplifier |
| максимальная рабочая температура | +70 °C |
| минимальная рабочая температура | 0 °C |
| длина | 5мм |
| тип корпуса | SOIC |
| тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| число контактов | 8 |
| размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
| pin count | 8 |
| packaging | Tape and Reel |
| eu rohs | Compliant |
| lead shape | Gull-wing |
| maximum operating temperature (°c) | 70 |
| mounting | Surface Mount |
| part status | Active |
| pcb changed | 8 |
| standard package name | SOP |
| supplier package | SOIC N |
| eccn (us) | EAR99 |
| maximum dual supply voltage (v) | ±16 |
| minimum dual supply voltage (v) | ±1.5 |
| minimum operating temperature (°c) | 0 |
| power supply type | Single|Dual |
| типичное одиночное напряжение питания | 5 → 28 В |
| типичное двойное напряжение питания | ±12 V, ±15 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V |
| maximum single supply voltage (v) | 32 |
| minimum single supply voltage (v) | 3 |
| typical dual supply voltage (v) | ±12|±3|±5|±15|±9 |
| typical single supply voltage (v) | 12|24|15|5|28|18|9 |
| hts | 8542.33.00.01 |
| package height | 1.5(Max) |
| package length | 5(Max) |
| package width | 4(Max) |
| тип источника питания | Двойной, одиночный |
| process technology | Bipolar |
| Вес и габариты | |
| количество каналов на ис | 2 |
| maximum quiescent current (ma) | 1.2@5V@0C to 70C |
| number of channels per chip | 2 |
| типичное усиление по напряжению | 100 dB |
| rail to rail | No |
| typical output current (ma) | 40@5V |
| minimum cmrr range (db) | 65 to 70 |
| minimum cmrr (db) | 65 |
| maximum input offset voltage (mv) | 7@30V |
| manufacturer type | General Purpose Amplifier |
| maximum input bias current (ua) | 0.25@5V |
| maximum input offset current (ua) | 0.05@5V |
| typical input bias current (ua) | 0.045@5V |
| typical voltage gain (db) | 100 |
| minimum psrr (db) | 65 |
| shut down support | No |
| Корпус | |
| Высота | 1.5 мм |
| Ширина | 4 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![IRFL4105TRPBF, Транзистор, N-канал 55В 3.7А [SOT-223]](/wa-data/public/shop/products/01/30/193001/images/227791/227791.300x0.jpg "IRFL4105TRPBF, Транзистор, N-канал 55В 3.7А [SOT-223]")
![Транзистор 2N6038 \NPN\40\TO-126\; транз 2N6038 \NPN\40\TO-126\](/wa-data/public/shop/products/69/25/292569/images/337288/337288.300x0.jpg "Транзистор 2N6038 \NPN\40\TO-126\; транз 2N6038 \NPN\40\TO-126\")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
