SST49LF008A-33-4C-WHE

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
SST49LF008A / 080A / 016C / 160C LPC SuperFlash® память
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeПоверхностный монтаж
operating temperature0В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
1 560
+
Бонус: 31.2 !
Бонусная программа
Итого: 1 560
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
SST49LF008A / 080A / 016C / 160C LPC SuperFlash® память
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeПоверхностный монтаж
operating temperature0В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case32-TFSOP (0.488"", 12.40mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаФлеш-память NOR
максимальная рабочая температура+ 85 C
минимальная рабочая температура0 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки208
тип продуктаNOR Flash
торговая маркаMicrochip Technology
упаковкаTray
упаковка / блокTSOP-32
чувствительный к влажностиYes
eccnEAR99
htsus8542.32.0071
серияSST49LF
reach statusREACH Unaffected
supplier device package32-TSOP
length12.5мм
package typeTSOP
minimum operating temperature0 °C
width8.1мм
pin count32
dimensions12.5 x 8.1 x 1.05mm
maximum operating temperature+85 °C
packagingTray
seriesSST49 ->
архитектураSector
напряжение питания - макс.12 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.3 V
тип интерфейсаSPI
automotiveNo
eu rohscompliant
lead shapeGull-wing
maximum operating temperature (°c)85
mountingsurface mount
part statusactive
pcb changed32
ppapNo
standard package nameSOP
supplier packageTSOP
base product numberSST49LF008 ->
voltage - supply3V ~ 3.6V
eccn (us)3A991.b.1.a
minimum operating temperature (°c)0
supplier temperature gradeCommercial
architectureSectored
maximum operating supply voltage (v)3.6
minimum operating supply voltage3 V
maximum operating supply voltage3.6 V
interface typeПараллельный
Вес и габариты
pcn packaginghttp://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD
maximum operating frequency (mhz)33
minimum operating supply voltage (v)3
typical operating supply voltage (v)3.3
technologyFLASH
организация1 M x 8
programmabilityYes
быстродействие33 MHz
ширина шины данных8 bit
размер памяти8 Mbit
тип памятиNOR
memory size8Mbit
максимальная тактовая частота33 MHz
memory typeNon-Volatile
memory formatFLASH
chip density (bit)8M
max. access time (ns)120
operating current (ma)12
programming voltage (v)3 to 3.6
тип синхронизацииAsynchronous, Synchronous
block organizationSymmetrical
boot blockYes
cell typeSplit Gate
command compatibleYes
ecc supportNo
location of boot blockTop
maximum erase time (s)0.1/Chip
maximum programming time (ms)0.02/Byte
minimum endurance (cycles)10000
number of bits/word (bit)8
number of words1024K
program current (ma)24
sector size4Kbyte x 256
support of page modeNo
timing typeAsynchronous|Synchronous
access time120ns
clock frequency33MHz
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page20Вµs
organisation1024K x 8 bit
number of bits per word8бит
oe access time (ns)60
активный ток считывания — макс.12 mA
maximum random access time120нс
block organisationСимметричный
Высота 1.05 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль