SST49LF008A-33-4C-NHE, Флеш память, блок загрузки, Концентратор Прошивки, 8 Мбит, 1М x 8бит, Паралле

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SST49LF008A-33-4C-NHE
Флеш-память NOR 8M (1Mx8) 33MHz Commercial Temp
Основные
вес, г1.915
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature0В°C ~ 85В°C (TA)
Цена по запросу
+
Бонус: 0 !
Бонусная программа
Итого: 0
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Флеш-память NOR 8M (1Mx8) 33MHz Commercial Temp
Основные
вес, г1.915
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature0В°C ~ 85В°C (TA)
packageTube
package / case32-LCC (J-Lead)
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаФлеш-память NOR
максимальная рабочая температура+ 85 C
минимальная рабочая температура0 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки30
тип продуктаNOR Flash
торговая маркаMicrochip Technology
упаковкаTube
упаковка / блокPLCC-32
чувствительный к влажностиYes
eccnEAR99
htsus8542.32.0071
серияSST49LF
reach statusREACH Unaffected
supplier device package32-PLCC (11.43x13.97)
pin count32
packagingTube
seriesSST49 ->
архитектураSector
напряжение питания - макс.12 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.3 V
тип интерфейсаSPI
automotiveNo
eu rohscompliant
lead shapeJ-Lead
maximum operating temperature (°c)85
mountingsurface mount
part statusactive
pcb changed32
ppapNo
standard package nameLCC
supplier packagePLCC
base product numberSST49LF008 ->
voltage - supply3V ~ 3.6V
eccn (us)ear99
minimum operating temperature (°c)0
supplier temperature gradeCommercial
architectureSectored
maximum operating supply voltage (v)3.6
interface typeParallel|Serial
Вес и габариты
pcn packaginghttp://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD
maximum operating frequency (mhz)33
minimum operating supply voltage (v)3
typical operating supply voltage (v)3.3
technologyFLASH
организация1 M x 8
programmabilityYes
быстродействие33 MHz
ширина шины данных8 bit
размер памяти8 Mbit
тип памятиNOR
memory size8Mb (1M x 8)
максимальная тактовая частота33 MHz
memory typeNon-Volatile
memory formatFLASH
chip density (bit)8M
max. access time (ns)120
operating current (ma)12
programming voltage (v)3 to 3.6
тип синхронизацииAsynchronous, Synchronous
block organizationSymmetrical
boot blockYes
cell typeNOR
command compatibleYes
ecc supportNo
location of boot blockTop
maximum erase time (s)0.1/Chip
maximum programming time (ms)0.02/Byte
minimum endurance (cycles)10000
number of bits/word (bit)8
number of words1M
program current (ma)24
sector size4Kbyte x 256
support of page modeNo
timing typeAsynchronous|Synchronous
access time120ns
clock frequency33MHz
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page20Вµs
oe access time (ns)60
активный ток считывания — макс.12 mA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль