SST39VF6402B-70-4C-EKE, NOR Flash Parallel 3.3V 64M-bit 4M x 16 70ns 48-Pin TSOP Tray

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SST39VF6402B-70-4C-EKE
Memory\RAM\FlashNOR Flash Parallel 3,3 В 64 Мбит 4M x 16 70 нс 48-контактный лоток TSOP
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature0В°C ~ 70В°C (TA)
packageTray
8 760
+
Бонус: 175.2 !
Бонусная программа
Итого: 8 760
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Memory\RAM\FlashNOR Flash Parallel 3,3 В 64 Мбит 4M x 16 70 нс 48-контактный лоток TSOP
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature0В°C ~ 70В°C (TA)
packageTray
package / case48-TFSOP (0.724"", 18.40mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаФлеш-память NOR
максимальная рабочая температура+ 70 C
минимальная рабочая температура0 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки96
тип продуктаNOR Flash
торговая маркаMicrochip Technology
упаковкаTray
упаковка / блокTSOP-48
eccn3A991B1A
htsus8542.32.0071
серияSST39VF
reach statusREACH Unaffected
supplier device package48-TSOP
длина12.2 (Max) mm
pin count48
packagingTray
seriesSST39 MPFв„ў ->
архитектураSectored
напряжение питания - макс.18 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.2.7 V
тип интерфейсаParallel
automotiveNo
eu rohscompliant
lead shapeGull-wing
maximum operating temperature (°c)70
mountingsurface mount
part statusactive
pcb changed48
ppapNo
standard package nameSOP
supplier packageTSOP
base product numberSST39VF6402 ->
voltage - supply2.7V ~ 3.6V
eccn (us)3A991.b.1.a
minimum operating temperature (°c)0
supplier temperature gradeCommercial
architectureSectored
maximum operating supply voltage (v)3.6
interface typeParallel
Вес и габариты
pcn design/specificationhttp://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD
pcn packaginghttp://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD
minimum operating supply voltage (v)2.7
typical operating supply voltage (v)3.3
technologyFLASH
организация4 M x 16
programmabilityYes
стандартCommon Flash Interface (CFI)
быстродействие70 ns
ширина шины данных16 bit
размер памяти64 Mbit
тип памятиNOR
memory size64Mb (4M x 16)
memory typeNon-Volatile
memory formatFLASH
программирующее напряжение2.7 V to 3.6 V
chip density (bit)64M
max. access time (ns)70
operating current (ma)18
programming voltage (v)2.7 to 3.6
тип синхронизацииAsynchronous
block organizationSymmetrical
boot blockYes
cell typeNOR
command compatibleYes
ecc supportNo
location of boot blockTop
maximum erase time (s)0.05/Chip
maximum programming time (ms)0.01/Word
minimum endurance (cycles)10000
number of bits/word (bit)16
number of words4M
program current (ma)35
sector size4Kbyte x 2048
support of page modeNo
timing typeAsynchronous
access time70ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page10Вµs
oe access time (ns)35
Высота 1.05 м
ТипBoot Block
Ширина18.5 м
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль