SST39VF040-70-4C-WHE, NOR Flash Parallel 3.3V 4M-bit 512K x 8 70ns 32-Pin TSOP Tray

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SST39VF040-70-4C-WHE
Memory\RAM\FlashNOR Flash Parallel 3,3 В 4 МБ 512K x 8 70 нс 32-контактный лоток TSOP
Основные
mounting typeПоверхностный монтаж
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаФлеш-память NOR
максимальная рабочая температура+ 70 C
380
+
Бонус: 7.6 !
Бонусная программа
Итого: 380
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Memory\RAM\FlashNOR Flash Parallel 3,3 В 4 МБ 512K x 8 70 нс 32-контактный лоток TSOP
Основные
mounting typeПоверхностный монтаж
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаФлеш-память NOR
максимальная рабочая температура+ 70 C
минимальная рабочая температура0 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки208
тип продуктаNOR Flash
торговая маркаMicrochip Technology
упаковкаTray
упаковка / блокTSOP-32
чувствительный к влажностиYes
серияSST39VF
длина8.1 (Max) mm
length12.5мм
package typeTSOP
minimum operating temperature0 °C
width8.1мм
pin count32
dimensions12.5 x 8.1 x 1.05mm
maximum operating temperature+70 °C
packagingTray
архитектураSectored
напряжение питания - макс.20 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.2.7 V
тип интерфейсаParallel
automotiveNo
eu rohscompliant
lead shapeGull-wing
maximum operating temperature (°c)70
mountingsurface mount
part statusactive
pcb changed32
ppapNo
standard package nameSOP
supplier packageTSOP
eccn (us)ear99
minimum operating temperature (°c)0
supplier temperature gradeCommercial
architectureSectored
maximum operating supply voltage (v)3.6
minimum operating supply voltage2.7 V
maximum operating supply voltage3.6 V
process technologyCMOS
interface typeParallel
Вес и габариты
minimum operating supply voltage (v)2.7
typical operating supply voltage (v)3.3
организация512 k x 8
programmabilityYes
стандартNot Supported
быстродействие70 ns
ширина шины данных8 bit
размер памяти4 Mbit
тип памятиNOR
memory size4Mbit
программирующее напряжение2.7 V to 3.6 V
chip density (bit)4M
max. access time (ns)70
operating current (ma)20
programming voltage (v)2.7 to 3.6
тип синхронизацииAsynchronous
block organizationSymmetrical
boot blockNo
cell typeNOR
command compatibleYes
ecc supportNo
maximum erase time (s)0.1/Chip
maximum programming time (ms)0.02/Byte
minimum endurance (cycles)10000
number of bits/word (bit)8
number of words512K
program current (ma)30
sector size4Kbyte x 128
support of page modeNo
timing typeAsynchronous
organisation512К x 8 бит
number of bits per word8бит
oe access time (ns)35
активный ток считывания — макс.20 mA
maximum random access time70нс
block organisationСимметричный
Высота 1.05 мм
ТипNo Boot Block
Ширина12.5 м
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль