SST39SF010A-70-4I-NHE, Флэш-память 1Mбит 70нс 32PLCC

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SST39SF010A-70-4I-NHE
Микросхемы / Микросхемы памяти / Flash памятькорпус: PLCC32 SST39SF010A / 020A / 040 Параллельная память SuperFlash® Семейство устройств SST39SF010A / 020A / 040 от Microchip - это параллельные многоцелевые микросхемы памяти SuperFlash®. Флэш-память, Microchip
Основные
вес, г1.96
максимальная рабочая температура+85 C
минимальная рабочая температура-40 C
линейка продукции5V Parallel NOR Flash Memories
310
+
Бонус: 6.2 !
Бонусная программа
Итого: 310
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Микросхемы / Микросхемы памяти / Flash памятькорпус: PLCC32 SST39SF010A / 020A / 040 Параллельная память SuperFlash® Семейство устройств SST39SF010A / 020A / 040 от Microchip - это параллельные многоцелевые микросхемы памяти SuperFlash®. Флэш-память, Microchip
Основные
вес, г1.96
максимальная рабочая температура+85 C
минимальная рабочая температура-40 C
линейка продукции5V Parallel NOR Flash Memories
тип корпусаPLCC
тип монтажаПоверхностный монтаж
число контактов32
pin count32
packagingTube
количество выводов32вывод(-ов)
тип интерфейсаПараллельный
automotiveNo
eu rohscompliant
lead shapeJ-Lead
maximum operating temperature (°c)85
mountingsurface mount
part statusactive
pcb changed32
ppapNo
standard package nameLCC
supplier packagePLCC
eccn (us)ear99
minimum operating temperature (°c)-40
supplier temperature gradeIndustrial
architectureSectored
максимальное напряжение питания5.5В
минимальное напряжение питания4.5В
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 3-168 часов
maximum operating supply voltage (v)5.5
process technologyCMOS
interface typeParallel
Вес и габариты
минимальное рабочее напряжение питания4,5 В
максимальное рабочее напряжение питания5,5 В
minimum operating supply voltage (v)4.5
typical operating supply voltage (v)5
организация128К x 8 бит
programmabilityYes
размер памяти1Мбит
тип интерфейса исПараллельный
время доступа70нс
chip density (bit)1M
max. access time (ns)70
operating current (ma)25
programming voltage (v)4.5 to 5.5
block organizationSymmetrical
boot blockNo
cell typeNOR
command compatibleYes
ecc supportNo
maximum erase time (s)0.1/Chip
maximum programming time (ms)0.02/Byte
minimum endurance (cycles)10000
number of bits/word (bit)8
number of words128K
program current (ma)35
sector size4Kbyte x 32
support of page modeNo
timing typeAsynchronous
максимальное время произвольного доступа70нс
количество слов128K
oe access time (ns)35
стиль корпуса микросхемы памятиLCC
конфигурация флэш-памяти128К x 8бит
тип flash памятиПараллельная NOR
количество бит на слово8бит
блочная организацияСимметричный
тип ячейкиРасщепленный строб-импульс
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль