SST39SF010A-70-4C-WHE

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
SST39SF010A / 020A / 040 Параллельная память SuperFlash® Семейство устройств SST39SF010A / 020A / 040 от Microchip - это параллельные многоцелевые микросхемы памяти SuperFlash®.
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeПоверхностный монтаж
operating temperature0В°C ~ 70В°C (TA)
packageTray
240
+
Бонус: 4.8 !
Бонусная программа
Итого: 240
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
SST39SF010A / 020A / 040 Параллельная память SuperFlash® Семейство устройств SST39SF010A / 020A / 040 от Microchip - это параллельные многоцелевые микросхемы памяти SuperFlash®.
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeПоверхностный монтаж
operating temperature0В°C ~ 70В°C (TA)
packageTray
package / case32-TFSOP (0.488"", 12.40mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаФлеш-память NOR
максимальная рабочая температура+ 70 C
минимальная рабочая температура0 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки208
тип продуктаNOR Flash
торговая маркаMicrochip Technology
упаковкаTray
упаковка / блокTSOP-32
чувствительный к влажностиYes
eccnEAR99
htsus8542.32.0071
серияSST39SF
reach statusREACH Unaffected
supplier device package32-TSOP
length12.5мм
package typeTSOP
minimum operating temperature0 °C
width8.1мм
pin count32
dimensions12.5 x 8.1 x 1.05mm
maximum operating temperature+70 °C
seriesSST39 MPFв„ў ->
архитектураSector
напряжение питания - макс.25 mA, 5.5 V
напряжение питания - мин.4.5 V
тип интерфейсаParallel
base product numberSST39SF010 ->
voltage - supply4.5V ~ 5.5V
minimum operating supply voltage4.5 V
maximum operating supply voltage5.5 V
interface typeПараллельный
Вес и габариты
pcn packaginghttp://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD
technologyFLASH
организация128 k x 8
стандартNot Supported
быстродействие70 ns
ширина шины данных8 bit
размер памяти1 Mbit
тип памятиNOR
memory size1MB
memory typeNon-Volatile
memory formatFLASH
тип синхронизацииAsynchronous
cell typeSplit Gate
number of words128K
access time70ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page20Вµs
organisation128К x 8 бит
number of bits per word8бит
активный ток считывания — макс.25 mA
maximum random access time70нс
block organisationСимметричный
Высота 1.05 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль