SST39SF010A-70-4C-NHE, 1MB Parallel Flash Memory 32-Pin PLCC, SST39SF010A-70-4C-NHE

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SST39SF010A-70-4C-NHE
SST39SF010A / 020A / 040 Параллельная память SuperFlash® Семейство устройств SST39SF010A / 020A / 040 от Microchip - это параллельные многоцелевые микросхемы памяти SuperFlash®.
Основные
mounting typeПоверхностный монтаж
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаФлеш-память NOR
максимальная рабочая температура+ 70 C
440
+
Бонус: 8.8 !
Бонусная программа
Итого: 440
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
SST39SF010A / 020A / 040 Параллельная память SuperFlash® Семейство устройств SST39SF010A / 020A / 040 от Microchip - это параллельные многоцелевые микросхемы памяти SuperFlash®.
Основные
mounting typeПоверхностный монтаж
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаФлеш-память NOR
максимальная рабочая температура+ 70 C
минимальная рабочая температура0 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки30
тип продуктаNOR Flash
торговая маркаMicrochip Technology
упаковкаTube
упаковка / блокPLCC-32
чувствительный к влажностиYes
серияSST39SF
length14.05mm
package typePLCC
minimum operating temperature0 °C
width11.51mm
pin count32
dimensions14.05 x 11.51 x 2.84mm
maximum operating temperature+70 °C
packagingTube
архитектураSector
напряжение питания - макс.25 mA, 5.5 V
напряжение питания - мин.4.5 V
тип интерфейсаParallel
eu rohsCompliant
lead shapeJ-Lead
maximum operating temperature (°c)70
mountingSurface Mount
part statusActive
pcb changed32
standard package nameLCC
supplier packagePLCC
eccn (us)3A991.b.1.a
minimum operating temperature (°c)0
supplier temperature gradeCommercial
architectureSectored
hts8542.32.00.71
package height2.84(Max)
package length14.05(Max)
package width11.51(Max)
maximum operating supply voltage (v)5.5
minimum operating supply voltage4.5 V
maximum operating supply voltage5.5 V
process technologyCMOS
interface typeПараллельный
Вес и габариты
minimum operating supply voltage (v)4.5
typical operating supply voltage (v)5
организация128 k x 8
programmabilityYes
стандартNot Supported
быстродействие70 ns
ширина шины данных8 bit
размер памяти1 Mbit
тип памятиNOR
memory size1MB
chip density (bit)1M
max. access time (ns)70
operating current (ma)25
programming voltage (v)4.5 to 5.5
тип синхронизацииAsynchronous
block organizationSymmetrical
boot blockNo
cell typeSplit Gate
command compatibleYes
ecc supportNo
maximum erase time (s)0.1/Chip
maximum programming time (ms)0.02/Byte
minimum endurance (cycles)10000
number of bits/word (bit)8
number of words128K
program current (ma)35
sector size4Kbyte x 32
support of page modeNo
timing typeAsynchronous
address bus width (bit)17
organisation128К x 8 бит
number of bits per word8бит
oe access time (ns)35
активный ток считывания — макс.25 mA
maximum random access time70нс
block organisationСимметричный
Высота 2.84 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль