SST39LF040-55-4C-WHE, Флеш память, Параллельная NOR, 4 Мбит, 512К x 8бит, Параллельный, TSOP, 32 выв

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SST39LF040-55-4C-WHE
Флеш-память NOR 3.0 to 3.6V 4Mbit Multi-Purpose Flash
Основные
вес, г0.001
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature0В°C ~ 70В°C (TA)
Цена по запросу
+
Бонус: 0 !
Бонусная программа
Итого: 0
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Флеш-память NOR 3.0 to 3.6V 4Mbit Multi-Purpose Flash
Основные
вес, г0.001
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature0В°C ~ 70В°C (TA)
packageTray
package / case32-TFSOP (0.488"", 12.40mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаФлеш-память NOR
максимальная рабочая температура+ 70 C
минимальная рабочая температура0 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки208
тип продуктаNOR Flash
торговая маркаMicrochip Technology
упаковкаTray
упаковка / блокTSOP-32
eccnEAR99
htsus8542.32.0071
серияSST39LF
reach statusREACH Unaffected
supplier device package32-TSOP
pin count32
packagingTray
seriesSST39 MPFв„ў ->
архитектураSector
напряжение питания - макс.20 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.3 V
тип интерфейсаParallel
automotiveNo
eu rohsCompliant
lead shapeGull-wing
maximum operating temperature (°c)70
mountingSurface Mount
part statusActive
pcb changed32
ppapNo
standard package nameSOP
supplier packageTSOP
base product numberSST39LF040 ->
voltage - supply3V ~ 3.6V
eccn (us)EAR99
minimum operating temperature (°c)0
supplier temperature gradeCommercial
architectureSectored
maximum operating supply voltage (v)3.6
interface typeParallel
Вес и габариты
pcn packaginghttp://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD
minimum operating supply voltage (v)3
typical operating supply voltage (v)3.3
technologyFLASH
организация512 k x 8
programmabilityYes
быстродействие55 ns
ширина шины данных8 bit
размер памяти4 Mbit
тип памятиNOR
memory size4Mb (512K x 8)
memory typeNon-Volatile
memory formatFLASH
chip density (bit)4M
max. access time (ns)55
operating current (ma)20
programming voltage (v)3 to 3.6
тип синхронизацииAsynchronous
block organizationSymmetrical
boot blockNo
cell typeNOR
command compatibleYes
ecc supportNo
maximum erase time (s)0.1/Chip
maximum programming time (ms)0.02/Byte
minimum endurance (cycles)10000
number of bits/word (bit)8
number of words512K
program current (ma)30
sector size4Kbyte x 128
support of page modeNo
timing typeAsynchronous
access time55ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page20Вµs
oe access time (ns)30
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль