SST38VF6401-90-5C-EKE

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Флеш-память NOR 64M (4Mx16) 90ns 2.7-3.6V Commercial
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature0В°C ~ 70В°C (TA)
packageTray
2 040
+
Бонус: 40.8 !
Бонусная программа
Итого: 2 040
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Флеш-память NOR 64M (4Mx16) 90ns 2.7-3.6V Commercial
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature0В°C ~ 70В°C (TA)
packageTray
package / case48-TFSOP (0.724"", 18.40mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаФлеш-память NOR
максимальная рабочая температура+ 70 C
минимальная рабочая температура0 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки96
тип продуктаNOR Flash
торговая маркаMicrochip Technology
упаковкаTray
упаковка / блокTSOP-48
eccn3A991B1A
htsus8542.32.0071
серияSST38VF640
reach statusREACH Unaffected
supplier device package48-TSOP
pin count48
packagingTray
seriesSST38 ->
архитектураSector
напряжение питания - макс.18 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.2.7 V
тип интерфейсаParallel
automotiveNo
eu rohscompliant
lead shapeGull-wing
maximum operating temperature (°c)70
mountingsurface mount
part statusactive
pcb changed48
ppapNo
standard package nameSOP
supplier packageTSOP
base product numberSST38VF6401 ->
voltage - supply2.7V ~ 3.6V
eccn (us)3A991.b.1.a
minimum operating temperature (°c)0
supplier temperature gradeCommercial
architectureSectored
maximum operating supply voltage (v)3.6
interface typeParallel
Вес и габариты
pcn design/specificationhttp://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD
pcn packaginghttp://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD
minimum operating supply voltage (v)2.7
typical operating supply voltage (v)3.3
technologyFLASH
организация4 M x 16
programmabilityYes
быстродействие90 ns
ширина шины данных16 bit
размер памяти64 Mbit
тип памятиNOR
memory size64Mb (4M x 16)
memory typeNon-Volatile
memory formatFLASH
chip density (bit)64M
max. access time (ns)90
operating current (ma)18
programming voltage (v)2.7 to 3.6
тип синхронизацииAsynchronous
block organizationSymmetrical
boot blockYes
cell typeNOR
command compatibleYes
ecc supportNo
location of boot blockBottom
maximum erase time (s)0.05/Chip
maximum programming time (ms)0.01/Word
minimum endurance (cycles)100000
number of bits/word (bit)16
number of words4M
page size4Words
program current (ma)35
sector size8Kbyte x 1024
support of page modeYes
timing typeAsynchronous
access time90ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page10Вµs
oe access time (ns)25
maximum page access time (ns)25
page read current (ma)20
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль