SST25PF040C-40V/SN, Флеш память, Последовательная NOR, 4 Мбит, SPI, SOIC, 8 вывод(-ов)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SST25PF040C-40V/SN
Флеш-память NOR 4Mb, Serial Flash, 3.0V, 105C
Основные
вес, г0.1
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 105В°C (TA)
250
+
Бонус: 5 !
Бонусная программа
Итого: 250
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Флеш-память NOR 4Mb, Serial Flash, 3.0V, 105C
Основные
вес, г0.1
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 105В°C (TA)
packageTube
package / case8-SOIC (0.154"", 3.90mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаФлеш-память NOR
максимальная рабочая температура+ 85 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки100
тип продуктаNOR Flash
торговая маркаMicrochip Technology
упаковкаTube
упаковка / блокSOIC-8
чувствительный к влажностиYes
eccnEAR99
htsus8542.32.0071
серияSST25PF
reach statusREACH Unaffected
supplier device package8-SOIC
pin count8
packagingTube
seriesSST25 ->
напряжение питания - макс.12 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.2.3 V
тип интерфейсаSPI, SQI
eu rohscompliant
lead shapeGull-wing
maximum operating temperature (°c)105
mountingsurface mount
part statusactive
pcb changed8
standard package nameSOP
supplier packageSOIC N
base product numberSST25PF040 ->
voltage - supply2.3V ~ 3.6V
eccn (us)3A991.b.1.a
minimum operating temperature (°c)-40
supplier temperature gradeExtended
architectureSectored
hts8542.32.00.71
package height1.25(Min)
package length4.9
package width3.9
maximum operating supply voltage (v)3.6
process technologyCMOS
interface typeSerial-SPI
Вес и габариты
minimum operating supply voltage (v)2.3
typical operating supply voltage (v)3.3
technologyFLASH
programmabilityYes
быстродействие40 MHz
размер памяти4 Mbit
тип памятиSuperFlash NOR
memory size4Mb (512K x 8)
максимальная тактовая частота40 MHz
memory typeNon-Volatile
memory formatFLASH
chip density (bit)4M
operating current (ma)12
programming voltage (v)2.3 to 3.6
block organizationSymmetrical
boot blockNo
cell typeNOR
command compatibleYes
ecc supportNo
maximum erase time (s)2/Chip
maximum programming time (ms)5/Page
minimum endurance (cycles)100000
number of bits/word (bit)8
number of words512K
page size256byte
program current (ma)15
sector size4Kbyte x 128
support of page modeNo
timing typeSynchronous
address bus width (bit)24
clock frequency40MHz
memory interfaceSPI
write cycle time - word, page5ms
активный ток считывания — макс.12 mA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль