S29GL512S11TFI020

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Микросхемы / Микросхемы памяти / Flash памятькорпус: TSOP56, инфо: Флэш-память 512Мбит 110нс 56TSOP Параллельная флеш-память NOR, Cypress Semiconductor
Основные
вес, г12
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeПоверхностный монтаж
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
1 130
+
Бонус: 22.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Микросхемы / Микросхемы памяти / Flash памятькорпус: TSOP56, инфо: Флэш-память 512Мбит 110нс 56TSOP Параллельная флеш-память NOR, Cypress Semiconductor
Основные
вес, г12
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeПоверхностный монтаж
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case56-TFSOP (0.724"", 18.40mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
eccn3A991B1A
htsus8542.32.0071
reach statusREACH Unaffected
supplier device package56-TSOP
length18.5мм
package typeTSOP
minimum operating temperature-40 °C
width14.1мм
pin count56
dimensions18.5 x 14.1 x 1.05mm
maximum operating temperature+85 °C
seriesGL-S ->
voltage - supply2.7V ~ 3.6V
minimum operating supply voltage2.7 V
maximum operating supply voltage3.6 V
interface typeCFI, Parallel
Вес и габариты
technologyFLASH - NOR
memory size512Mbit
memory typeNon-Volatile
memory formatFLASH
cell typeNOR
number of words32м
access time110ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page60ns
organisation32M x 16 bit
number of bits per word16бит
maximum random access time110ns
Высота 1.05 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль