Параллельная флеш-память NOR, Cypress Semiconductor

Подробное описание

Основные
вес, г	17.12
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Поверхностный монтаж
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)

2 240 ₽

– +

Бонус: 44.8 !

Бонусная программа

Итого: 2 240 ₽

Купить

Параллельная флеш-память NOR, Cypress Semiconductor

Основные
вес, г	17.12
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Поверхностный монтаж
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)
package	Tray
package / case	56-TFSOP (0.724"", 18.40mm Width)
rohs status	ROHS3 Compliant
eccn	3A991B1A
htsus	8542.32.0071
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	56-TSOP
length	18.5мм
package type	TSOP
minimum operating temperature	-40 °C
width	14.1мм
pin count	56
dimensions	18.5 x 14.1 x 1.05mm
maximum operating temperature	+85 °C
series	GL-S ->
voltage - supply	2.7V ~ 3.6V
minimum operating supply voltage	2.7 V
maximum operating supply voltage	3.6 V
interface type	CFI, Parallel
Вес и габариты
technology	FLASH - NOR
memory size	512Mbit
memory type	Non-Volatile
memory format	FLASH
cell type	NOR
number of words	32м
access time	100ns
memory interface	Parallel
write cycle time - word, page	60ns
organisation	32M x 16 bit
number of bits per word	16бит
maximum random access time	100нс
Высота	1.05 мм

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

S29GL512S10TFI010, Флеш память, Параллельная NOR, 512 Мбит, 32М x 16бит, Параллельный, TSOP, 56 выво