S25HS512TFANHI010, Флеш память, Последовательная NOR, 512 Мбит, 64М x 8бит, SPI, WSON, 8 вывод(-ов)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: S25HS512TFANHI010
Полупроводники - Микросхемы\Память\FLASHФлэш-память - ИС памяти ИЛИ 512 МБ (64M x 8) SPI - Quad I / O 166MHz 8-WSON (6x8)
Основные
вес, г0.01
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
1 390
+
Бонус: 27.8 !
Бонусная программа
Итого: 1 390
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Микросхемы\Память\FLASHФлэш-память - ИС памяти ИЛИ 512 МБ (64M x 8) SPI - Quad I / O 166MHz 8-WSON (6x8)
Основные
вес, г0.01
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case8-WDFN Exposed Pad
rohs statusROHS3 Compliant
eccn3A991B1A
htsus8542.32.0071
video fileSemperв„ў Intro VideoSemperв„ў Functional Safety V
reach statusREACH Unaffected
supplier device package8-WSON (6x8)
seriesHS-T ->
base product numberS25HS512 ->
voltage - supply1.7V ~ 2V
Вес и габариты
technologyFLASH - NOR
memory size512Mb (64M x 8)
memory typeNon-Volatile
memory formatFLASH
clock frequency166MHz
memory interfaceSPI - Quad I/O
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль