MX29LV160DTTI-70G, IC: память FLASH; 70нс; TSOP48; параллельный

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MX29LV160DTTI-70G/TRAY
Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти FLASH - микросхемы\Памяти FLASH параллельныеИЛИ Вспышка Параллельная 3 В / 3,3 В 16 Мбит / с 2 Мбит / с x 8/1 Мбит / с x 16 70 нс 48-контактный TSOP-I
Основные
вес, г0.05
pin count48
automotiveNo
eu rohscompliant
990
+
Бонус: 19.8 !
Бонусная программа
Итого: 990
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти FLASH - микросхемы\Памяти FLASH параллельныеИЛИ Вспышка Параллельная 3 В / 3,3 В 16 Мбит / с 2 Мбит / с x 8/1 Мбит / с x 16 70 нс 48-контактный TSOP-I
Основные
вес, г0.05
pin count48
automotiveNo
eu rohscompliant
lead shapeGull-wing
maximum operating temperature (°c)85
mountingsurface mount
part statusactive
pcb changed48
ppapNo
standard package nameSOP
supplier packageTSOP-I
eccn (us)ear99
minimum operating temperature (°c)-40
supplier temperature gradeIndustrial
architectureSectored
maximum operating supply voltage (v)3.6
process technology130nm
interface typeParallel
Вес и габариты
minimum operating supply voltage (v)2.7
typical operating supply voltage (v)3|3.3
programmabilityYes
chip density (bit)16M
max. access time (ns)70
operating current (ma)30
programming voltage (v)2.7 to 3.6
block organizationAsymmetrical
boot blockYes
cell typeNOR
command compatibleYes
ecc supportNo
location of boot blockTop
maximum erase time (s)32/Chip
maximum programming time (ms)54000/Chip
minimum endurance (cycles)100000(Typ)
number of bits/word (bit)8/16
number of words2M/1M
program current (ma)30
sector size8Kbyte x 2|16Kbyte x 1|32Kbyte x 1|64Kbyte x 31
support of page modeNo
timing typeAsynchronous
number of banks4
oe access time (ns)30
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль