MR4A16BCYS35
В избранноеВ сравнение

- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Памятькол-во в упаковке: 108, корпус: TSOP54, АБFEATURES∙ +3.3 Volt power supply∙ Fast 35 ns read/write cycle∙ SRAM compatible timing∙ Unlimited read & write endurance∙ Data always non-volatile for >20 years at temperature∙ RoHS-compliant TSOP2 package Корпус TSOP54, Тип памяти RAM, Подтип памяти MRAM (Magnetoresistive RAM), Интерфейс Parallel, Объём памяти 16 Мбит, Напряжение питания, min 3 В, Напряжение питания, max 3.6 В
Отзывов нет





![2SC5824T100Q, Транзистор NPN 60В 3A 2Вт [SOT-89] 2SC5824T100Q, Транзистор NPN 60В 3A 2Вт [SOT-89]](/wa-data/public/shop/products/57/59/285957/images/326352/326352.300x0.jpg)






