MR4A08BCMA35

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Integrated Circuits (ICs)\MemoryMRAM (магниторезистивная RAM) ИС памяти 16 Мб (2M x 8) Параллельный 35 нс 48-FBGA (10x10)
Основные
moisture sensitivity level (msl)5 (48 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
15 950
+
Бонус: 319 !
Бонусная программа
Итого: 15 950
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Integrated Circuits (ICs)\MemoryMRAM (магниторезистивная RAM) ИС памяти 16 Мб (2M x 8) Параллельный 35 нс 48-FBGA (10x10)
Основные
moisture sensitivity level (msl)5 (48 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case48-LFBGA
rohs statusROHS3 Compliant
категория продуктаМагниторезистивная оперативная память (MRAM)
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки184
тип продуктаMRAM
торговая маркаEverspin Technologies
упаковкаTray
упаковка / блокBGA-48
чувствительный к влажностиYes
eccnEAR99
htsus8542.32.0071
серияMR4A08B
reach statusREACH Unaffected
supplier device package48-FBGA (10x10)
тип интерфейсаParallel
voltage - supply3V ~ 3.6V
Вес и габариты
technologyMRAM (Magnetoresistive RAM)
memory size16Mb (2M x 8)
memory typeNon-Volatile
memory formatRAM
access time35ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page35ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль