MR2A08AYS35

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Магниторезистивная оперативная память (MRAM) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Магниторезистивная оперативная память (MRAM)
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМагниторезистивная оперативная память (MRAM)
максимальная рабочая температура+ 70 C
минимальная рабочая температура0 C
8 390
+
Бонус: 167.8 !
Бонусная программа
Итого: 8 390
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Магниторезистивная оперативная память (MRAM) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Магниторезистивная оперативная память (MRAM)
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМагниторезистивная оперативная память (MRAM)
максимальная рабочая температура+ 70 C
минимальная рабочая температура0 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки135
тип продуктаMRAM
торговая маркаEverspin Technologies
упаковкаTray
упаковка / блокTSOP-44
чувствительный к влажностиYes
серияMR2A08A
рабочий ток источника питания50 mA
напряжение питания - макс.3.6 V
напряжение питания - мин.3 V
тип интерфейсаParallel
Вес и габариты
организация512 k x 8
ширина шины данных8 bit
размер памяти4 Mbit
время доступа35 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль