MR2A08ACMA35

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Integrated Circuits (ICs)\MemoryMRAM (магниторезистивное ОЗУ) ИС памяти 4 Мб (512 КБ x 8) Параллельный 35 нс 48-FBGA (8 x 8)
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
9 040
+
Бонус: 180.8 !
Бонусная программа
Итого: 9 040
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Integrated Circuits (ICs)\MemoryMRAM (магниторезистивное ОЗУ) ИС памяти 4 Мб (512 КБ x 8) Параллельный 35 нс 48-FBGA (8 x 8)
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case48-LFBGA
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаNVRAM
максимальная рабочая температура+ 85 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки348
тип продуктаNVRAM
торговая маркаEverspin Technologies
упаковкаTray
упаковка / блокBGA-48
eccnEAR99
htsus8542.32.0071
серияMR2A08A
рабочий ток источника питания50 mA
reach statusREACH Unaffected
supplier device package48-FBGA (8x8)
напряжение питания - макс.3.6 V
напряжение питания - мин.3 V
тип интерфейсаParallel
voltage - supply3V ~ 3.6V
Вес и габариты
technologyMRAM (Magnetoresistive RAM)
организация512 k x 8
ширина шины данных8 bit
размер памяти4 Mbit
memory size4Mb (512K x 8)
memory typeNon-Volatile
memory formatRAM
время доступа35 ns
access time35ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page35ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль