MR25H256ACDF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Integrated Circuits (ICs)\MemoryMRAM (магниторезистивное ОЗУ) ИС памяти 256 КБ (32 КБ x 8) SPI 40 МГц 8-DFN (5x6)
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
2 100
+
Бонус: 42 !
Бонусная программа
Итого: 2 100
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Integrated Circuits (ICs)\MemoryMRAM (магниторезистивное ОЗУ) ИС памяти 256 КБ (32 КБ x 8) SPI 40 МГц 8-DFN (5x6)
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case8-VDFN Exposed Pad
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМагниторезистивная оперативная память (MRAM)
максимальная рабочая температура+ 85 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки570
тип продуктаMRAM
торговая маркаEverspin Technologies
упаковкаTray
упаковка / блокDFN-8
чувствительный к влажностиYes
eccnEAR99
htsus8542.32.0071
серияMR25H256
рабочий ток источника питания6 mA, 23 mA
supplier device package8-DFN (5x6)
pd - рассеивание мощности600 mW
напряжение питания - макс.3.6 V
напряжение питания - мин.2.7 V
тип интерфейсаSPI
voltage - supply2.7V ~ 3.6V
Вес и габариты
technologyMRAM (Magnetoresistive RAM)
организация32 k x 8
ширина шины данных8 bit
размер памяти256 kbit
memory size256Kb (32K x 8)
memory typeNon-Volatile
memory formatRAM
clock frequency40MHz
memory interfaceSPI
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль