MR25H128ACDF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Integrated Circuits (ICs)\MemoryMRAM (магниторезистивная RAM) ИС памяти 128 КБ (16K x 8) SPI 40 МГц 8-DFN-EP, Small Flag (5x6)
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
1 870
+
Бонус: 37.4 !
Бонусная программа
Итого: 1 870
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Integrated Circuits (ICs)\MemoryMRAM (магниторезистивная RAM) ИС памяти 128 КБ (16K x 8) SPI 40 МГц 8-DFN-EP, Small Flag (5x6)
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case8-VDFN Exposed Pad
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаNVRAM
максимальная рабочая температура+ 85 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки570
тип продуктаNVRAM
торговая маркаEverspin Technologies
упаковкаTray
упаковка / блокDFN-8
eccnEAR99
htsus8542.32.0071
серияMR25H128A
рабочий ток источника питания6 mA, 23 mA
supplier device package8-DFN-EP, Small Flag (5x6)
seriesAutomotive, AEC-Q100 ->
pd - рассеивание мощности600 mW
напряжение питания - макс.3.6 V
напряжение питания - мин.2.7 V
тип интерфейсаSPI
voltage - supply2.7V ~ 3.6V
Вес и габариты
technologyMRAM (Magnetoresistive RAM)
организация16 k x 8
ширина шины данных8 bit
размер памяти128 kbit
memory size128Kb (16K x 8)
memory typeNon-Volatile
memory formatRAM
clock frequency40MHz
memory interfaceSPI
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль