Магниторезистивная оперативная память (MRAM) 1Mb 3V 128Kx8 Serial Магниторезистивная оперативная память (MRAM)

Подробное описание

Основные
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 125В°C (TA)
package	Tray

3 630 ₽

– +

Бонус: 72.6 !

Бонусная программа

Итого: 3 630 ₽

Купить

Магниторезистивная оперативная память (MRAM) 1Mb 3V 128Kx8 Serial Магниторезистивная оперативная память (MRAM)

Основные
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 125В°C (TA)
package	Tray
package / case	8-TDFN Exposed Pad
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	Магниторезистивная оперативная память (MRAM)
максимальная рабочая температура	+ 125 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	Memory Data Storage
размер фабричной упаковки	570
тип продукта	MRAM
торговая марка	Everspin Technologies
упаковка	Tray
упаковка / блок	DFN-8
чувствительный к влажности	Yes
eccn	EAR99
htsus	8542.32.0071
серия	MR25H10
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	8-DFN-EP, Large Flag (5x6)
series	Automotive, AEC-Q100 ->
напряжение питания - макс.	3.6 V
напряжение питания - мин.	2.7 V
тип интерфейса	SPI
voltage - supply	2.7V ~ 3.6V
Вес и габариты
technology	MRAM (Magnetoresistive RAM)
организация	128 k x 8
размер памяти	1 Mbit
memory size	1Mb (128K x 8)
memory type	Non-Volatile
memory format	RAM
clock frequency	40MHz
memory interface	SPI

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

MR25H10MDC