MMBT5551

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes MMBT5551
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0635
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
89
+
Бонус: 1.78 !
Бонусная программа
Итого: 89
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR,NPN,160V,0.6A,SOT23-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:160V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:80hFE; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2019); Gain Bandwidth ft Typ:300MHz; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0635
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo180 V
collector-emitter saturation voltage0.2 V
collector- emitter voltage vceo max160 V
configurationSingle
dc collector/base gain hfe min80
dc current gain hfe max250
emitter- base voltage vebo6 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft300 MHz
height1 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
кол-во в упаковке3000
length3.05 mm
manufacturerDiodes Incorporated
maximum dc collector current0.6 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseSOT-23-3
packagingReel
партномер8002758293
pd - power dissipation300 mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesMMBT5551
transistor polarityNPN
Время загрузки22:21:11
width1.4 mm
Отзывов нет
Подборки товаров в категории:Микросхемы памятиТранзисторы биполярные
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль