M24C02-RMN6TP, микросхема памяти EEPROM 1.8-5.5В 2K SO8

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: M24C02-RMN6TP
микросхемы памятиEEPROM память с I2C интерфейсом, объёмом 2 кбит, в корпусе SO-8. Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи. Напряжение питания: 1.8...5.5 В. Рабочая температура: -40...85C.
Основные
pin count8
packagingTape and Reel
eu rohscompliant
lead shapeGull-wing
39
+
Бонус: 0.78 !
Бонусная программа
Итого: 39
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
микросхемы памятиEEPROM память с I2C интерфейсом, объёмом 2 кбит, в корпусе SO-8. Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи. Напряжение питания: 1.8...5.5 В. Рабочая температура: -40...85C.
Основные
pin count8
packagingTape and Reel
eu rohscompliant
lead shapeGull-wing
maximum operating temperature (°c)85
mountingsurface mount
part statusactive
pcb changed8
standard package nameSOP
supplier packageSO N
eccn (us)ear99
minimum operating temperature (°c)-40
supplier temperature gradeIndustrial
hts8542.32.00.51
package height1.65(Max)
package length5(Max)
package width4(Max)
maximum operating supply voltage (v)5.5
interface typeSerial-I2C
Вес и габариты
maximum operating frequency (mhz)0.4
minimum operating supply voltage (v)1.8
typical operating supply voltage (v)5|3.3|2.5
operating supply voltage1.8V ~ 5.5V
programmabilityYes
тип памятиeeprom
memory size2Kb (256 x 8)
memory typeNon-Volatile
memory formatEEPROM
chip density (bit)2K
data retention (year)200(Min)
hardware data protectionYes
max. access time (ns)900
operating current (ma)0.8
organization256x8
programming voltage (v)1.8 to 5.5
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль