M24C02-RMN6TP, микросхема памяти EEPROM 1.8-5.5В 2K SO8

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: M24C02-RMN6TP
микросхемы памятиEEPROM память с I2C интерфейсом, объёмом 2 кбит, в корпусе SO-8. Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи. Напряжение питания: 1.8...5.5 В. Рабочая температура: -40...85C.
Основные
pin count8
packagingTape and Reel
eu rohscompliant
lead shapeGull-wing
39
- +
Бонус: 0.78 !
Бонусная программа
Итого: 39
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
микросхемы памятиEEPROM память с I2C интерфейсом, объёмом 2 кбит, в корпусе SO-8. Особенности: 4 миллиона циклов перезаписи. Напряжение питания: 1.8...5.5 В. Рабочая температура: -40...85C.
Основные
pin count8
packagingTape and Reel
eu rohscompliant
lead shapeGull-wing
maximum operating temperature (°c)85
mountingsurface mount
part statusactive
pcb changed8
standard package nameSOP
supplier packageSO N
eccn (us)ear99
minimum operating temperature (°c)-40
supplier temperature gradeIndustrial
hts8542.32.00.51
package height1.65(Max)
package length5(Max)
package width4(Max)
maximum operating supply voltage (v)5.5
interface typeSerial-I2C
Вес и габариты
maximum operating frequency (mhz)0.4
minimum operating supply voltage (v)1.8
typical operating supply voltage (v)5|3.3|2.5
operating supply voltage1.8V ~ 5.5V
programmabilityYes
тип памятиeeprom
memory size2Kb (256 x 8)
memory typeNon-Volatile
memory formatEEPROM
chip density (bit)2K
data retention (year)200(Min)
hardware data protectionYes
max. access time (ns)900
operating current (ma)0.8
organization256x8
programming voltage (v)1.8 to 5.5
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль