IS66WVE2M16EBLL-70BLI

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Стат. ОЗУ 32Mb,Pseudo Стат. ОЗУ,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V~3.6V, VDDQ 2.7V~3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
1 450
+
Бонус: 29 !
Бонусная программа
Итого: 1 450
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Стат. ОЗУ 32Mb,Pseudo Стат. ОЗУ,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V~3.6V, VDDQ 2.7V~3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case48-TFBGA
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаСтат. ОЗУ
максимальная рабочая температура+ 85 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки480
тип продуктаSRAM
торговая маркаISSI
упаковка / блокTFBGA-48
eccn3A991B2A
htsus8542.32.0041
серияIS66WVE2M16EBLL
reach statusREACH Unaffected
supplier device package48-TFBGA (6x8)
напряжение питания - макс.30 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.2.7 V
тип интерфейсаParallel
voltage - supply2.7V ~ 3.6V
Вес и габариты
technologyPSRAM (Pseudo SRAM)
организация2 M x 16
размер памяти32 Mbit
тип памятиSDR
memory size32Mb (2M x 16)
memory typeVolatile
memory formatPSRAM
время доступа70 ns
access time70ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page70ns
ТипAsynchronous
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль