Стат. ОЗУ 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v~3.6v,32 Pin TSOP II, RoHS

Подробное описание

Основные
вес, г	0.44
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)

1 320 ₽

– +

Бонус: 26.4 !

Бонусная программа

Итого: 1 320 ₽

Купить

Стат. ОЗУ 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v~3.6v,32 Pin TSOP II, RoHS

Основные
вес, г	0.44
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)
package	Tray
package / case	32-SOIC (0.400"", 10.16mm Width)
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	Стат. ОЗУ
максимальная рабочая температура	+ 85 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	Memory Data Storage
размер фабричной упаковки	117
тип продукта	SRAM
торговая марка	ISSI
упаковка / блок	TSOP-32
eccn	3A991B2A
htsus	8542.32.0041
серия	IS62WV5128EBLL
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	32-TSOP II
коммерческое обозначение	PowerSaver
напряжение питания - макс.	22 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.	2.2 V
тип интерфейса	Parallel
voltage - supply	2.2V ~ 3.6V
Вес и габариты
technology	SRAM - Asynchronous
организация	512 k x 8
размер памяти	4 Mbit
тип памяти	SDR
memory size	4Mb (512K x 8)
memory type	Volatile
memory format	SRAM
время доступа	45 ns
access time	45ns
memory interface	Parallel
write cycle time - word, page	45ns
Тип	Asynchronous

Отзывов нет

Кнопки