Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельныеСтат. ОЗУ 2Mb 256Kx8 55ns Async Стат. ОЗУ

Подробное описание

Основные
вес, г	0.2
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)

690 ₽

– +

Бонус: 13.8 !

Бонусная программа

Итого: 690 ₽

Купить

Основные
вес, г	0.2
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)
package	Tray
package / case	32-TFSOP (0.724"", 18.40mm Width)
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	Стат. ОЗУ
максимальная рабочая температура	+ 85 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	Memory Data Storage
размер фабричной упаковки	156
тип продукта	SRAM
торговая марка	ISSI
упаковка	Tray
упаковка / блок	TSOP-32
чувствительный к влажности	Yes
eccn	3A991B2A
htsus	8542.32.0041
серия	IS62WV2568BLL
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	32-TSOP I
коммерческое обозначение	PowerSaver
напряжение питания - макс.	3 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.	2.5 V
тип интерфейса	Parallel
voltage - supply	2.5V ~ 3.6V
Вес и габариты
диапазон данных	SDR
technology	SRAM - Asynchronous
организация	256 k x 8
количество портов	1
размер памяти	2 Mbit
memory size	2Mb (256K x 8)
максимальная тактовая частота	18 MHz
memory type	Volatile
memory format	SRAM
время доступа	55 ns
access time	55ns
memory interface	Parallel
write cycle time - word, page	55ns
Тип	Asynchronous

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

$Транзистор 2SC3331 \NPN\0,5\TO-92\SAN; транз 2SC3331 \NPN\0,5\TO-92\SAN$

Быстрый просмотр

IS62WV2568BLL-55TL, IC: память SRAM; 256Кx8бит; 2,5?3,6В; 55нс; TSOP32; параллельный