IS61WV6416DBLL-10TLI, Микросхема, память SRAM, 64Кx16бит, 2,4-3,6В, 10нс, TSOP44, параллельный

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IS61WV6416DBLL-10TLI
SRAM - микросхема асинхронной памяти 1 Мб (64 КБ x 16), параллельная 10 нс 44-TSOP II
Основные
вес, г0.46
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
700
+
Бонус: 14 !
Бонусная программа
Итого: 700
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
SRAM - микросхема асинхронной памяти 1 Мб (64 КБ x 16), параллельная 10 нс 44-TSOP II
Основные
вес, г0.46
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8542.32.0041
reach statusREACH Unaffected
supplier device package44-TSOP II
voltage - supply2.4V ~ 3.6V
Вес и габариты
technologySRAM - Asynchronous
memory size1Mb (64K x 16)
memory typeVolatile
memory formatSRAM
access time10ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page10ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль